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　【重點(diǎn)事件】晶圓代工領(lǐng)域“新貴”Rapidus獲日本政府高額補(bǔ)貼

　　4月2日，日本批準(zhǔn)向芯片企業(yè)Rapidus公司提供高達(dá)5900億日元（約合39億美元）補(bǔ)貼，幫助Rapidus購(gòu)買芯片制造設(shè)備，并開發(fā)先進(jìn)后端芯片制造工藝，為日本在半導(dǎo)體制造業(yè)實(shí)現(xiàn)趕超雄心投入更多資金。這家成立僅19個(gè)月的初創(chuàng)公司已獲得數(shù)十億美元政府資金。這些撥款旨在恢復(fù)日本昔日芯片制造實(shí)力。

　　【重點(diǎn)事件】韓國(guó)釜山計(jì)劃新建2座8英寸SiC/GaN工廠

　　4月6日，據(jù)韓媒報(bào)道，韓國(guó)釜山市正計(jì)劃投建2座8英寸SiC/GaN功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，最快將于明年下半年開始。據(jù)悉，釜山市政府計(jì)劃投資400億韓元（約合人民幣2.2億），在東南地區(qū)—放射線醫(yī)科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建一座采用SiC、GaN等新一代材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，該項(xiàng)目已獲得國(guó)家及市級(jí)基金資助。

　　其次，他們將在機(jī)張郡成立一座新的功率半導(dǎo)體技術(shù)研究所，該研究所將接管位于功率半導(dǎo)體商業(yè)化中心（PSCC）的6英寸功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，并安裝運(yùn)營(yíng)新的8英寸生產(chǎn)設(shè)施，支持入駐企業(yè)開展1700V級(jí)高壓器件技術(shù)研發(fā)等技術(shù)工作，同時(shí)開展盈利業(yè)務(wù)，計(jì)劃于明年下半年開始建立。

　　與此同時(shí)，位于功率半導(dǎo)體商業(yè)化中心（PSCC）的20多家半導(dǎo)體公司還計(jì)劃投資1.1萬(wàn)億韓元（約合人民幣60億），以打造下一代功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。

　　【重點(diǎn)企業(yè)】鎧俠計(jì)劃在2031年量產(chǎn)1000層3D NAND

　　4月6日，據(jù)外媒Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片大廠鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima表示，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND Flash芯片。

　　在近日于東京城市大學(xué)舉行的第71屆應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上的演講中，Miyajima討論了在3D NAND器件中實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000層的技術(shù)挑戰(zhàn)和解決方案。

　　據(jù)介紹，增加3D NAND Flash器件中的有源層數(shù)量是當(dāng)今提高NAND Flash密度的最佳方法，因此所有3D NAND Flash制造商都努力每1.5到2年就推出新的工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。每個(gè)新節(jié)點(diǎn)都會(huì)帶來(lái)一些挑戰(zhàn)，因?yàn)?D NAND Flash制造商必須增加層數(shù)并橫向和縱向縮小NAND Flash單元。這個(gè)過(guò)程要求制造商在每個(gè)新節(jié)點(diǎn)都采用新材料，這是一項(xiàng)重大的研發(fā)挑戰(zhàn)。

　　如今，鎧俠最好的3D NAND Flash器件是第八代BiCS 3D NAND Flash，具有218個(gè)有源層和3.2 GT/s接口（于2023年3月首次推出）。這一代引入了一種新穎的CBA（CMOS直接鍵合到陣列）架構(gòu)，該架構(gòu)涉及使用最合適的工藝技術(shù)單獨(dú)制造3D NAND Flash單元陣列晶圓和I/O CMOS晶圓并將它們鍵合在一起。其結(jié)果是產(chǎn)品具有增強(qiáng)的位密度和改進(jìn)的NAND I/O速度，這確保了內(nèi)存可用于構(gòu)建最好的SSD。

　　與此同時(shí)，鎧俠及其制造合作伙伴西部數(shù)據(jù)（Western Digital）尚未披露CBA架構(gòu)的具體細(xì)節(jié)，例如I/O CMOS晶圓是否包括額外的NAND外圍電路（如頁(yè)緩沖器、讀出放大器和電荷泵）。通過(guò)分別生產(chǎn)存儲(chǔ)單元和外圍電路，制造商可以為每個(gè)組件利用最高效的工藝技術(shù)，隨著行業(yè)向串堆疊等方法發(fā)展，制造商將獲得更多優(yōu)勢(shì)，串堆疊肯定會(huì)用于1000層3D NAND。

　　【重點(diǎn)企業(yè)】SK海力士與美國(guó)印第安納州簽約先進(jìn)后端工藝領(lǐng)域投資合作

　　4月4日，SK海力士宣布，在美國(guó)印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲(chǔ)器先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，同時(shí)與美國(guó)普渡（Purdue）大學(xué)等當(dāng)?shù)匮芯繖C(jī)構(gòu)進(jìn)行半導(dǎo)體研究和開發(fā)合作。公司計(jì)劃向該項(xiàng)目投資38.7億美元。

　　智研咨詢專注產(chǎn)業(yè)咨詢十五年，是中國(guó)產(chǎn)業(yè)咨詢領(lǐng)域?qū)I(yè)服務(wù)機(jī)構(gòu)。公司以“用信息驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，為企業(yè)投資決策賦能”為品牌理念。為企業(yè)提供專業(yè)的產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)，主要服務(wù)包含精品行研報(bào)告、專項(xiàng)定制、月度專題、可研報(bào)告、商業(yè)計(jì)劃書、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃等。提供周報(bào)/月報(bào)/季報(bào)/年報(bào)等定期報(bào)告和定制數(shù)據(jù)，內(nèi)容涵蓋政策監(jiān)測(cè)、企業(yè)動(dòng)態(tài)、行業(yè)數(shù)據(jù)、產(chǎn)品價(jià)格變化、投融資概覽、市場(chǎng)機(jī)遇及風(fēng)險(xiǎn)分析等。