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　【重點事件】晶圓代工領域“新貴”Rapidus獲日本政府高額補貼

　　4月2日，日本批準向芯片企業Rapidus公司提供高達5900億日元（約合39億美元）補貼，幫助Rapidus購買芯片制造設備，并開發先進后端芯片制造工藝，為日本在半導體制造業實現趕超雄心投入更多資金。這家成立僅19個月的初創公司已獲得數十億美元政府資金。這些撥款旨在恢復日本昔日芯片制造實力。

　　【重點事件】韓國釜山計劃新建2座8英寸SiC/GaN工廠

　　4月6日，據韓媒報道，韓國釜山市正計劃投建2座8英寸SiC/GaN功率半導體生產設施，最快將于明年下半年開始。據悉，釜山市政府計劃投資400億韓元（約合人民幣2.2億），在東南地區—放射線醫科學產業園區增建一座采用SiC、GaN等新一代材料的8英寸化合物功率半導體生產設施，該項目已獲得國家及市級基金資助。

　　其次，他們將在機張郡成立一座新的功率半導體技術研究所，該研究所將接管位于功率半導體商業化中心（PSCC）的6英寸功率半導體生產設施，并安裝運營新的8英寸生產設施，支持入駐企業開展1700V級高壓器件技術研發等技術工作，同時開展盈利業務，計劃于明年下半年開始建立。

　　與此同時，位于功率半導體商業化中心（PSCC）的20多家半導體公司還計劃投資1.1萬億韓元（約合人民幣60億），以打造下一代功率半導體生態系統。

　　【重點企業】鎧俠計劃在2031年量產1000層3D NAND

　　4月6日，據外媒Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片大廠鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima表示，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。

　　在近日于東京城市大學舉行的第71屆應用物理學會春季會議上的演講中，Miyajima討論了在3D NAND器件中實現超過1000層的技術挑戰和解決方案。

　　據介紹，增加3D NAND Flash器件中的有源層數量是當今提高NAND Flash密度的最佳方法，因此所有3D NAND Flash制造商都努力每1.5到2年就推出新的工藝節點來實現這一目標。每個新節點都會帶來一些挑戰，因為3D NAND Flash制造商必須增加層數并橫向和縱向縮小NAND Flash單元。這個過程要求制造商在每個新節點都采用新材料，這是一項重大的研發挑戰。

　　如今，鎧俠最好的3D NAND Flash器件是第八代BiCS 3D NAND Flash，具有218個有源層和3.2 GT/s接口（于2023年3月首次推出）。這一代引入了一種新穎的CBA（CMOS直接鍵合到陣列）架構，該架構涉及使用最合適的工藝技術單獨制造3D NAND Flash單元陣列晶圓和I/O CMOS晶圓并將它們鍵合在一起。其結果是產品具有增強的位密度和改進的NAND I/O速度，這確保了內存可用于構建最好的SSD。

　　與此同時，鎧俠及其制造合作伙伴西部數據（Western Digital）尚未披露CBA架構的具體細節，例如I/O CMOS晶圓是否包括額外的NAND外圍電路（如頁緩沖器、讀出放大器和電荷泵）。通過分別生產存儲單元和外圍電路，制造商可以為每個組件利用最高效的工藝技術，隨著行業向串堆疊等方法發展，制造商將獲得更多優勢，串堆疊肯定會用于1000層3D NAND。

　　【重點企業】SK海力士與美國印第安納州簽約先進后端工藝領域投資合作

　　4月4日，SK海力士宣布，在美國印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲器先進封裝生產基地，同時與美國普渡（Purdue）大學等當地研究機構進行半導體研究和開發合作。公司計劃向該項目投資38.7億美元。

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